0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8v/3.3v g0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8v/5v g
overview
公司0.18um工艺是基于客户对于fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8v电压core device、3.3v或者5v 电压io device， 并同时提供native vt、medium low vt器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。
shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时shrunk工艺的器件特性同不shrunk工艺非常接近。公司 0.162um工艺是0.18um 90% shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% shrunk工艺。
公司0.18um工艺提供otp/mtp工艺，otp/mtp 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。
key features
| 0.18g | ||
| core voltage | typical | 1.8v |
| core device | typical vt | √ |
| low vt | √ | |
| io device | 3.3v | √ |
| 5v | √ | |
| sram bitcell(um2) | 4.65 |
0.18um process family
| 0.18g | ||
| special process | mix | √ |
| rf | √ | |
| otp/mtp | √ | |
| design | technical file | √ |
| pdk | √ | |
| ip/library | √ |
0.18μm cmos en (3.3v or 5v)
overview
公司提供的0.18μm cmos en (3.3v or 5v)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为dc-dc、led屏驱动、音频功放、mcu等应用提供了很好的小9体育直播下载安装的解决方案。
key features
- single poly, rich metal (aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- hi-rsh poly resistor, mim/mos capacitor, otp/ft e–fuse and other rich device options
- full design kit support with pdk\cmd\library
application
- dc-dc
- led display
- audio amplifier
- mcu
0.18μm e-flash
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公司提供的0.18μm e-flash工艺兼容0.18um logic工艺，提供业界具有竞争力的闪存ip，高可靠性，低功耗和低成本，为智慧卡、各类屏接触控制、mcu等应用提供了很好的小9体育直播下载安装的解决方案。
key features
- double polys, support 4~6 top metal options
- industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- full design kit support with pdk\ std cell\io library
application
- smart card
- touch-screen controller
- mcu